TSMC社、16nm FinFET設計インフラ共同開発の功績を称え -- シノプシスに“Partner of the Year 2013”を授与
FinFETテクノロジ開発に向けたシノプシスの価値ある貢献を評価
2013年10月14日 カリフォルニア州マウンテンビュー発 - 半導体やエレクトロニクス・システムのイノベーションを加速させる開発用ソフトウェア、IP、技術サービスの世界的リーダーであるシノプシス（Synopsys, Inc.、Nasdaq上場コード:SNPS）は本日、16nm FinFETデザイン・インフラ共同開発の成果を受け、TSMC社がシノプシスにOpen Innovation Platform “Partner of the Year 2013”を授与したことを発表した。授与理由は、シノプシスの広範囲にわたる深い専門技術、ならびにTSMC 16nmリファレンス･フローの開発と提供に向けた貢献の大きさである。この設計フローは、ARM® Cortex™-A15モバイル・プロセッサ・デザイン上で検証済みである。この設計インフラ・ソリューションを構成するシノプシス・ツールは、Design Compiler、IC Compiler、StarRC、PrimeTime、IC Validatorである。
TSMC社 デザイン・インフラストラクチャ・マーケティング部門のシニア･ディレクター Suk Lee氏は次のように語っている。「シノプシス社は、両者共通のお客様各社にFinFETをスムーズに実用化していただくために、寄生抽出テクノロジを始めとする様々な基盤技術を駆使し、多大なる貢献を果たしてくださいました。ここにこれを評し、Partner of the Year 2013を授与するものであります。当社は、今後もお客様各社がより高性能で低消費電力な革新的デザインを実現できるソリューションをご提供してまいります」
シノプシス プロダクト・マーケティング担当副社長 Bijan Kiani次のように述べている。「我々は、今回の栄誉ある受賞を誇りに思っています。FinFETは、非常に高度なテクノロジであり、その実用化には半導体エコシステム・パートナー企業間での密接なコラボレーションが不可欠となります。16nm FinFETプロセス実用化に向けたTSMC社との緊密な技術協力を通じて、設計者の皆様に最先端の設計技術を提供していくことが可能になりました」
TSMC 16nmリファレンス・フローを構成するシノプシス・ツール群について
| Design Compiler | 配置/配線密集/レイヤを考慮した最先端の最適化テクノロジにより、より高品質な論理設計結果を実現 |
| IC Compiler | 最適な性能、消費電力、面積を実現するため、16nm FinFET量子化ルール、FinFETグリッド・ルール、そしてPBA（パス・ベース解析）/GBA（グラフ・ベース解析）のタイミング相関性確保やローボルテージ解析などの最先端最適化メソドロジをサポートする先進のテクノロジを提供 |
| IC Validator | フィン・バウンダリ・ルールなどのFinFETパラメータを検証し、ダミーセルへ拡張するためのDRC/DPTルール準拠性チェック機能を提供 |
| PrimeTime | FinFETプロセスで要求されるサインオフ精度を満たすゴールデンSTAを実現する最先端の波形伝播遅延計算機能を提供 |
| StarRC | “リアル・プロファイル”FinFETデバイス・モデリング機能により、高精度なトランジスタ・レベル解析のためのMEOL（middle-end-of-line）寄生抽出を実現 |