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TCAD
Technology Computer Aided Design（TCAD）
技術開発と製造のための半導体処理、デバイス運用および相互接続特性評価のシミュレーション。
イノベーションを加速するプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツール
テクノロジCAD（TCAD）は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体プロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。シノプシスのTCADは、業界をリードするプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールと、シミュレーション・タスクの管理やシミュレーション結果解析のための強力なGUIシミュレーション環境を含む包括的な製品群をご提供します。TCADプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールはCMOS、パワー、メモリ、イメージ・センサ、太陽電池、アナログ/RFデバイスなどの幅広いアプリケーションに対応します。また、シノプシスTCADは配線のモデリングおよび抽出用のツールを備えており、チップ性能を最適化するための重要な寄生情報を提供します。
主な特長
- 新しいデバイス構造の検討により、プロセスおよびデバイスの有力な開発経路を選択
- TCADを利用してプロセスのパラメータ空間を綿密に検討することにより、プロセスのモジュールとインテグレーションを最適化するとともに、実験ウェハーを削減して、開発期間を短縮
- TCADを利用することで、プロセスのばらつきがデバイス性能に及ぼす影響を把握して解析したり、工程能力、ロバスト性、歩留りを向上させることが可能
概要
テクノロジCAD（TCAD）は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体プロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。シノプシスのTCADソフトウェアは、拡散、輸送方程式などの基本的な物理の偏微分方程式を解き、半導体デバイスの構造的特性と電気的動作をモデル化します。このような綿密な物理的手法により、TCADシミュレーションは、様々なテクノロジに対して予測性の高い精度を実現します。新しい半導体デバイスまたはテクノロジを開発し、評価する際にTCADシミュレーションを利用することで、コストと時間がかかるウェハー試作を削減できます。
シノプシスTCADツールは、あらゆる主要半導体企業がテクノロジの開発サイクル全体にわたって採用しています。テクノロジ開発の早期段階では、設計者は実験データを入手できなくてもTCADツールを利用し、チャネル移動度の向上と性能目標達成のために基板の設計を工夫するなど、製品設計のオプションを検討できます。プロセス・インテグレーションの段階では、シノプシスTCADツールを利用して実験計画法（DOE）などの条件振りロットのシミュレーションを行うことができます。これにより、プロセスを包括的に評価および最適化し、実際のウェーハでの試作を削減することで、時間とコストの節減が可能になります。プロセスを製造に導入する段階では、TCADツールを利用して量産におけるAPC(Advanced Process Control)のメカニズムを構築し、パラメトリック・イールドを改善することができます。