テクノロジCAD（TCAD）は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体プロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。シノプシスのTCADは、業界をリードするプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールと、シミュレーション・タスクの管理やシミュレーション結果解析のための強力なGUIシミュレーション環境を含む包括的な製品群をご提供します。TCADプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールはCMOS、パワー、メモリ、イメージ・センサ、太陽電池、アナログ/RFデバイスなどの幅広いアプリケーションに対応します。また、シノプシスTCADは配線のモデリングおよび抽出用のツールを備えており、チップ性能を最適化するための重要な寄生情報を提供します。
テクノロジCAD（TCAD）は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体プロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。シノプシスのTCADソフトウェアは、拡散、輸送方程式などの基本的な物理の偏微分方程式を解き、半導体デバイスの構造的特性と電気的動作をモデル化します。このような綿密な物理的手法により、TCADシミュレーションは、様々なテクノロジに対して予測性の高い精度を実現します。新しい半導体デバイスまたはテクノロジを開発し、評価する際にTCADシミュレーションを利用することで、コストと時間がかかるウェハー試作を削減できます。
シノプシスTCADツールは、あらゆる主要半導体企業がテクノロジの開発サイクル全体にわたって採用しています。テクノロジ開発の早期段階では、設計者は実験データを入手できなくてもTCADツールを利用し、チャネル移動度の向上と性能目標達成のために基板の設計を工夫するなど、製品設計のオプションを検討できます。プロセス・インテグレーションの段階では、シノプシスTCADツールを利用して実験計画法（DOE）などの条件振りロットのシミュレーションを行うことができます。これにより、プロセスを包括的に評価および最適化し、実際のウェーハでの試作を削減することで、時間とコストの節減が可能になります。プロセスを製造に導入する段階では、TCADツールを利用して量産におけるAPC(Advanced Process Control)のメカニズムを構築し、パラメトリック・イールドを改善することができます。