Sentaurus Device 

先進的な多次元(1D/2D/3D)デバイス・シミュレータ 

概要
Sentaurus Deviceは、シリコンおよび化合物半導体デバイスの電気、熱、光特性をシミュレーション可能な、先進的な多次元デバイス・シミュレータです。 Sentaurus Deviceは、現在および将来の半導体デバイスの設計と最適化に対応する新世代のデバイス・シミュレータです。

機能
Sentaurus Deviceは、以下のような幅広いカテゴリでシミュレーション機能を提供する汎用デバイス・シミュレーション・ツールです。

従来のCMOSテクノロジとディープ・サブミクロンCMOSテクノロジ: Sentaurus Deviceでは、あらゆるシリコン・テクノロジや歪みシリコン・テクノロジ(シリコン・ゲルマニウム(SiGe)ポケットなどの外部応力源を含む)をシミュレーションできます。 高性能な計算能力により、高度な用途向けにホット・キャリア効果、非局所効果、量子効果を把握できます。 Sentaurus Deviceの3Dシミュレーション機能により、ディープ・サブミクロン・デバイスにおける狭チャネル効果、STIにおける寄生チャネル効果、SOI基板における基板浮遊効果をシミュレーションできます。

化合物半導体テクノロジ: Sentaurus Deviceでは、GaAs、InP、GaN、SiGe、SiC、AlGaAs、InGaAs、AlGaN、InGaN、またはその他の元素で構成されるHEMTやHBTのようなヘテロ構造素子内のキャリア輸送における、シュレーディンガー方程式の厳密な解法や複雑なトンネル効果などの高度な量子化モデルをシミュレーションできます。

オプトエレクトロニクス・デバイス: Sentaurus Deviceには、CMOSイメージ・センサ、太陽電池、レーザーなどの半導体デバイスのオプトエレクトロニクス特性をシミュレーションする機能があります。 さらに、Sentaurus Deviceには、FDTD法によるマクスウェル波動方程式の厳密な解を求めるオプションもあります。

パワー・エレクトロニクス・デバイス: Sentaurus Deviceは、GaNやSiCのようなワイドバンドギャップ材料で形成されたIGBT、パワーMOS、LDMOS、サイリスタ、高周波ハイパワー・デバイスなどの様々なパワー・デバイスの電気効果と熱効果をシミュレーションするための、柔軟性に優れた高度なプラットフォームです。

モンテカルロ・デバイス・シミュレーション: Sentaurus Deviceでは、安定性がよく計算効率の高いフルバンド・アンサンブル・モンテカルロ法を利用して、微細ゲート長デバイスにおけるボルツマン方程式の厳密な解を求めることができます。

メモリ・デバイス: Sentaurus Deviceはゲート・リークの先進的なトンネリング・モデルおよびトラップ/デトラップ・モデルにより、high-K絶縁膜を使用したデバイスを含むSONOSやフラッシュ・メモリ・デバイスのようなどんなフローティング・ゲート・デバイスもシミュレーションできます。

放射線効果: 半導体デバイス動作に対する放射線の影響をSentaurus Deviceで検討できます。 シングルイベント・アップセット(SEU)やシングル・イベント・トランジェント(SET)などのシングル・イベント効果や、トータル・イオン・ドース(TID)効果をシミュレーションできます。

新規半導体テクノロジ: Sentaurus Deviceの高度な物理と、ユーザー定義モデルを追加できる機能により、新しい材料で構成された新規構造の可能性を検討できます。

主な特長
  • ファブリケーション・プロセスが定義されていない新しいデバイスの概念を検討
  • 半導体デバイスの電気、熱、光特性評価により、試作、開発、性能の最適化を短期間で実現
  • 実験データをシミュレーションからの詳細な物理的洞察で補足して開発期間を短縮
  • プロセスのばらつきに対するデバイス特性の感度を検討し、パラメトリック歩留りを最適化