Sentaurus Device

先进的多维(1D、2D 和 3D)器件仿真器

Sentaurus Device 是一种先进的多维器件仿真器,可仿真硅半导体器件及化合物半导体器件的电学、热学和光学特性。Sentaurus Device 是新一代器件仿真器,可用于设计和优化当前及未来的半导体器件。

功能

Sentaurus Device 是一种通用型器件仿真工具,拥有在以下几大广泛领域的仿真功能:

先进的逻辑技术 Sentaurus 器件可仿真 FinFET 和 FDSOI 等先进的逻辑技术,包括应力工程、通道量子化效应、热载流子效应、弹道输送,以及众多其他高级输送现象。Sentaurus 器件还支持硅锗 (SiGe)、氮化硅 (SiSn)、铟镓砷 (InGaAs)、锑化铟 (InSb) 及其他高迁移通道材料,并实施更加高效的方法,为原子和工艺变异性效应建模。

化合物半导体技术: Sentaurus 器件可仿真先进的量子化模型,包括严密的薛定谔方程和复杂的隧穿机制,用于模拟在高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和异质结双极晶体管 (HBT) 等异质结构器件中的载流子传输。这些器件由以下(但不限于)这些材料制造而成:砷化镓 (GaA)、磷化铟 (InP)、氮化镓 (GaN)、硅锗 (SiGe)、碳化硅 (SiC)、铝砷化镓 (AlGaAs)、铟镓砷 (InGaAs)、氮化铝镓 (AlGaN) 和氮化铟镓 (InGaN)。

光电子器件: Sentaurus 器件可仿真 CMOS 图像传感器、太阳能电池等半导体器件的光电子特性。Sentaurus Device 中的功能选项还可使用 FDTD 方法,实现麦克斯韦波动方程的严密求解。

功率器件: Sentaurus 器件是仿真电效应和热效应的最灵活、最先进的平台,可仿真多种功率器件(比如 IGBT、电力 MOS、LDMOS、晶闸管)和由氮化镓 (GaN) 与碳化硅 (SiC) 等宽带隙材料制成的高频大功率器件。

存储器器件: Sentaurus 器件凭借先进的栅漏载流子隧道模型和俘获与释放模型,可仿真任何浮栅器件(比如 SONOS)和闪存存储器(包括使用高介电系数介电材料的器件)。

辐射效应: Sentaurus 器件可用来研究辐射对半导体器件操作造成的影响。不仅可仿真单粒子效应,包括单粒子翻转 (SEU) 和单粒子瞬态效应 (SET),还可仿真电离总剂量 (TID) 效应。

新式半导体技术: Sentaurus 器件拥有先进的物理模型,能将用户自定义的模型添加到 Sentaurus 器件中,探索由新型材料制成的新式结构。

优势

  • 探索制造工艺尚未明确的新式器件特性
  • 对半导体器件的电学、热学和光学行为进行特性表征,以便快速实现原型验证、研发和性能优化
  • 通过补充利用仿真获得的具有深刻物理意义的实验数据,缩短研发时间
  • 研究器件特性相对于工艺变量的敏感度,以优化产品的成品率