TCAD / S-Lithoセミナー 2019

~半導体デバイス設計/製造に必須なSentaurus TCAD及びSentaurus Lithographyのユーザー様活用事例と最新動向をご紹介!

 

本セミナーの軸となるユーザー様事例発表により、製品開発におけるTCAD/S-Lithoの実際の適用事例をお聴きいただく絶好の機会になると考えております。

また、シノプシス本社からシリコン・エンジニアリング技術部門の最高責任者を招聘し、Sentaurus TCAD/S-Lithoの最新情報もご紹介します。

 

日時 / 場所

2019年10月9日 (水)
セミナー: 13:00~17:20 (受付開始 12:30)   懇親会: 17:30~19:30

東京コンファレンスセンター・品川  5F 

東京都港区港南 1-9-36 アレア品川  TEL: 03-6717-7000 (地図)  
* JR品川駅港南口(東口)から 徒歩2分

 

お申込

事前登録制とさせていただいております。

下記ボタンよりお申込みください。

 

アジェンダ

12:30 -  受付

13:00       ご挨拶 日本シノプシス合同会社 社長 藤井 公雄

13:05  TCADを用いた最先端SiCトレンチMOSFETの破壊メカニズム解析

国立大学法人 筑波大学
数理物質系 物理工学域
教授 岩室 憲幸 様

1.2 kV SiCトレンチMOSFETの負荷短絡時の破壊メカニズムを、TCADならびに実測を駆使して解析した結果をご説明します。シリコンIGBTの負荷短絡破壊は、短絡時のエネルギー破壊が主原因であることが知られていますが、SiC MOSFETではこれに加え、MOSFETゲートオフ後に素子表面で発生するもれ電流により、素子が破壊することが判明しました。これは、4HSiCがシリコンに比べ高温条件でも熱暴走しにくいことが原因です。

 

13:35  TCAD/S-Litho技術の最新動向

    ~Synopsys TCAD/S-Litho Address Current and Future Semiconductor Technology
     Development Challenges

Synopsys, Inc.
Silicon Engineering Group
General Manager Dr. Howard Ko

近年の半導体業界はAI、IoT、輸送手段、並びに再生可能エネルギー分野におけるアプリケーションの劇的な成長に牽引されています。

AIはディープラーニング特有の非常に大きな計算負荷及び大規模データを効率的に計算し、取り扱うための新世代のCPU、GPU、メモリチップを必要とします。IoTは、より低電力志向でワイヤレス接続が可能な新しいセンサーの開発を牽引します。自動車、鉄道などの輸送手段の分野または再生可能エネルギー分野においては、より高効率化された半導体デバイスがシステムのパフォーマンス及びオペレーション・コストを改善するための重要な鍵となっています。

これらのアプリケーションは半導体製造メーカーが適切なパフォーマンス、信頼性、コストを兼ね備えた新製品を開発する努力を促す機会を作り出しています。

シノプシスTCADは半導体企業が技術開発における時間やコストを削減するための手助けを長年続けてきました。本セッションでは、これらのアプリケーションの開発で必要とされる、より高効率なパワーデバイス及び先端ロジックとメモリ技術に関するDTCO (Design-Technology Co-Optimization) という新しい手法を用いる観点から改善されたTCAD Solutionについてご紹介します。また、最後に、シノプシスのロードマップを牽引するキーとなる技術的トレンドをまとめてご紹介します。

 

14:20  休憩

 

14:35  車載向けLDMOSの高温HTRB変動メカニズム考察と対策方法

東芝デバイス&ストレージ株式会社
システムデバイス事業部
デバイス技術部 デバイス技術第二担当
主務 小松 香奈子 様

当社は、高温環境下でも高い信頼性を実現する低耐圧NチャネルLDMOSを搭載した車載用アナログパワーIC向けプロセス技術を開発しました。本技術により、LDMOSの製造プロセスにおいて結晶欠陥が原因で発生するリーク電流の増加を抑制し、150℃以上の高温下における寿命を当社従来技術に比較して10倍以上に改善しました。TCADシミュレーションを用いて不良メカニズムを考察し、対策方法を考案しました。

 

15:05  100V定格超低オン抵抗トレンチMOSFETの開発:2段フィールドプレート構造の最適化設計

東芝デバイス&ストレージ株式会社
ディスクリート半導体事業部 先端ディスクリート開発センター
先端ディスクリートプロセスインテグレーション開発部
部長 小林 研也 様

フィールドプレート構造のトレンチMOSFET (FP-MOSFET) は、比較的低耐圧 (12V~250V)での適用が進んでおり、特に100V定格FP-MOSFETは48V入力のアプリケーションにて高効率・低消費電力化への貢献が期待されています。本構造ではトレンチ内に形成する2段フィールドプレートのドレイン表面電解緩和 (RESURF) 効果により、超低オン抵抗が可能になります。TCADによる複数パラメータの最適設計、低コストかつ制御性の良い製造プロセス、およびデバイス性能の評価結果についてご説明します。

 

15:35  ボディーダイオードを不活性化するSBD内蔵SiC-MOSFETの開発

三菱電機株式会社
先端技術総合研究所 パワーデバイス技術部
永久 雄一 様

近年、SiCパワーデバイスの著しい進歩により、SiCを実装した小型・省エネ機器の実証例が多く挙げられています。それらのデバイス開発にはSiC特有の構造設計が必要となり、TCADを用いたシミュレーションは不可欠です。本講演では、三菱電機におけるSiCパワーデバイス開発の取り組みとして、SBD内蔵MOSFETを例に、デバイス内部の電流分布シミュレーションへの活用事例を交えて紹介します。

 

16:05  休憩

 

16:20  大電流動作に向けた縦型GaNトレンチMOSFETの設計

豊田合成株式会社
開発本部 研究開発部
基幹技師 西井 潤弥 様

GaNは、Siに比べ耐圧性能に優れた材料物性をもつパワー半導体として注目を集めています。当社では大電力用の縦型GaNトレンチMOSFETに関して、これまでゲート配置の最適化、トランジスタセルの微細化により1チップで50A以上の動作を実証してきました。さらなる大電流化を目指しドリフト層に導入した電流分散層により、1チップで100Aの動作が可能となりました。この電流分散層についてご紹介します。

 

16:50  Machine Learning for DFM

東芝メモリ株式会社
メモリ事業部 第三メモリ設計部
メモリリソグラフィ担当
グループ長 野嶋 茂樹 様

半導体デバイスの微細化 (高集積化)・高性能化を実現するために、製造性を考慮した設計レイアウト (マスク) を作るDMF (Design for Manufacturing) は必須の技術です。DFMは主にシミュレーションの精度や計算速度の向上に支えられ進化してきましたが、近年半導体デバイスの微細化に伴いパタンデータサイズが増加し計算時間が長くなっている一方、シミュレーション精度は犠牲にできないという課題に直面しています。本発表では、近年着目を集めているAI/機械学習技術により、本課題に取り組んだ内容について事例を交えて紹介します。

 

17:20  セミナーの部終了

 

17:30 - 19:30    懇親会

 

※プログラムは変更される場合がございます。予めご了承ください。