几乎所有带开关的电子系统都离不开存储。从物联网到汽车,再到人工智能,这些应用都依赖高带宽、快速吞吐和低延迟的存储。在一个以超融合、深度定制、数字化和严格可靠性要求为特征的时代,开发存储解决方案比以往任何时候都更具挑战。新思科技能够为开发者们提供业内最完整的端到端存储开发方案,帮助您实现设计前移,加快开发周期,提升交付效率。
在功耗、性能和面积(PPA)要求的压力下,存储设计正迈入一个高度复杂、日益数字化的超融合空间,集成多种技术、协议和架构。为了加速超融合存储开发,新思科技提供快速技术路径探索、设计与工艺协同优化(DTCO),以及基于早期工艺开发套件(PDK)生成流程的设计 PPA 评估,并实现 TCAD 与定制/数字设计工具的深度集成。这一流程结合超高速的传统仿真与机器学习驱动的仿真技术,以及数字化的存储设计实现流程,涵盖时序特性分析、数字顶层验证和布局布线,帮助实现快速且精准的 PPA 优化。
探索新的器件结构、工艺变体和流程创新,是实现更优 PPA 的关键路径。然而,随着技术差距不断扩大,传统建模无法完全捕捉硅片上的所有影响,尤其是在先进节点。为在早期解决潜在的硅片可靠性问题,新思科技提供更高覆盖率的存储专用电气规则检查、快速的芯片级电磁/IR 分析(结合电源网络)、符合 ISO 26262 标准的功能安全解决方案,以及多芯片系统设计和硅生命周期管理工具。
每一种新的存储协议都意味着性能和运行时间的大幅提升,同时,不同应用的独特需求也在推动定制化程度不断提高。要快速扩展并满足新协议和特殊规格的要求,您需要更快的设计到签核周期。新思科技通过提供更快的模块级或芯片级仿真、基于机器学习的设计优化流程、结合早期寄生参数分析的快速设计收敛、更高效的布局复用,以及数字化的存储设计实现流程,帮助您实现设计左移。此外,借助我们的存储 IP,您还可以降低集成风险,加速产品上市。
为了满足 HPC、AI 和汽车应用的需求,高度定制化、高性能存储芯片的需求不断增长,这推动了新的设计范式的出现,例如设计与工艺协同优化(DTCO)、设计前移、数字化以及可靠性设计。
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