DRAM，3D-NAND发展新趋势
本次研讨会将介绍Sentaurus TCAD, Process Explorer, Raphael FX 在 3D-NAND 和 DRAM 开发中的应用。我们首先介绍模拟DRAM保留时间统计分布以及3D NAND工艺和材料可变性的工作流程，然后讲述用Sentaurus Topography 进行高纵横比（HAR）蚀刻建模的最新进展，并总结使用QuantumATK的从头算法对新型存储器结构的建模和应用。
活动日期：2021年12月03日 周五
活动时间：16:30-17:30 p.m.
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