TCAD 

プロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールがイノベーションを加速 

テクノロジCAD(TCAD)は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体のプロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。 シノプシスのTCADは、業界をリードするプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールと、シミュレーション・タスクの管理やシミュレーション結果解析のための強力なGUIシミュレーション環境を含む包括的な製品群を提供します。 TCADプロセスおよびデバイス・シミュレーション・ツールはCMOS、パワー、メモリ、イメージ・センサ、太陽電池、アナログ/RFデバイスなどの幅広いアプリケーションに対応します。 また、シノプシスTCADは配線のモデリングおよび抽出用のツールを備えており、チップ性能を最適化するための重要な寄生情報を提供します。

 

Sentaurus Process
シリコン・プロセス・テクノロジの開発および最適化のための最先端の1D、2D、3Dプロセス・シミュレータ


Taurus TSUPREM-4
シリコン・プロセス・テクノロジの開発および最適化のための1Dおよび2Dプロセス・シミュレータ


Sentaurus Topography
デポジション、エッチング、スピンオングラス、リフロー、CMPなどの表面形状を変更するプロセス工程の物理的モデリング向け2Dおよび3Dシミュレータ


Sentaurus Device
シリコンベース半導体デバイスおよび化合物半導体デバイスの電気、熱、光特性のための、最先端の多次元(1D/2D/3D)デバイス・シミュレータ


Taurus Medici
半導体デバイスの電気、熱、光特性をモデリングする2Dデバイス・シミュレータ


Raphael
小規模セルの多層配線構造およびオンチップ寄生パラメータを最適化するための2Dおよび3D抵抗、容量、インダクタンス抽出ツール


Sentaurus Interconnect
設計データベースとプロセス・レシピを利用してインターコネクトの応力と信頼性の3Dシミュレーションを実行


 
TCADプロジェクト管理と可視化のための解析ツールSentaurus Workbench、およびSentaurus Workbench Advancedを装備


 
TCADシミュレーションのデバイス構造を生成するための、高度な幾何学的モデリング機能を備えた柔軟性の高い2Dおよび3Dデバイス構造エディタ


 
TCADツールを利用してプロセス/デバイスを最適化し、プロセスおよびデバイス・モデリング手法によりテクノロジの開発と製造の問題調査を最適化

テクノロジCAD(TCAD)は、コンピュータ・シミュレーションを利用して半導体プロセス・テクノロジおよびデバイスの開発と最適化を行います。 シノプシスのTCADソフトウェアは、拡散、輸送方程式などの基本的な物理の偏微分方程式を解き、半導体デバイスの構造的特性と電気的動作をモデル化します。 このような綿密な物理的手法により、TCADシミュレーションは、様々なテクノロジに対して予測性の高い精度を実現します。 新しい半導体デバイスまたはテクノロジを開発し、評価する際にTCADシミュレーションを利用することで、コストと時間がかかるウェハー試作を削減できます。

シノプシスTCADツールは、あらゆる主要半導体企業がテクノロジの開発サイクル全体にわたって採用しています。 テクノロジ開発の早期段階では、設計者は実験データを入手できなくてもTCADツールを利用し、チャネル移動度の向上と性能目標達成のために基板の設計を工夫するなど、製品設計のオプションを検討できます。 プロセス・インテグレーションの段階では、シノプシスTCADツールを利用して実験計画法(DOE)などの条件振りロットのシミュレーションを行うことができます。これにより、プロセスを包括的に評価および最適化し、実際のウェハーでの試作を削減することで、時間とコストの節減が可能になります。 プロセスを製造に導入する段階では、TCADツールを利用して量産におけるAPC(Advanced Process Control)のメカニズムを構築し、パラメトリック・イールドを改善することができます。

TCADソリューションには以下の機能があります。

  • 太陽電池シミュレーション
    Sentaurus TCADシミュレーション・ツールは、太陽電池の性能に影響する内部物理メカニズムについての重要な洞察を提示し、効率の向上と製造コストの削減を実現します。
  1. 新しいデバイス構造の検討により、プロセスおよびデバイスの有力な開発経路を選択
  2. TCADを利用してプロセスのパラメータ空間を綿密に検討することにより、プロセスのモジュールとインテグレーションを最適化するとともに、実験ウェハーを削減して、開発期間を短縮
  3. TCADを利用することで、プロセスのばらつきがデバイス性能に及ぼす影響を把握して解析したり、工程能力、ロバスト性、歩留りを向上させることが可能