Proteus LRC

プロセス・ウィンドウにおけるフルチップの検証

Proteus LRC(リソグラフィ・ルール・チェック)は、プロセス・ウィンドウにおけるホットスポットを高速かつ高精度に検出し、スケーラビリティに優れたProteusパイプライン・テクノロジでフルチップのマスク検証を行うシノプシスのポストOPC(光近接効果補正)検証ツールです。問題のある領域をすばやく特定することで開発サイクルの早期にロバストな設計とOPC手法を実現し、製造フローの後工程でのデバイス故障のリスクを軽減します。Proteus LRCを利用することで、新しいテクノロジの開発期間が短縮され、既存のフローでの歩留りが向上します。

リソグラフィ・プロセスが既存のツール群の解像限界に近付くと、プロセス・ウィンドウにおけるばらつきが増加し、設計ノードの微細化に伴って許容される誤差が小さくなるため、デバイス故障が発生しやすくなります。Proteus LRCは、プロセス・ウィンドウにおけるホットスポット、二層の間隔とオーバーレイ、EPE、CDの制御に対する高速で包括的なチェック機能を提供します。Proteus LRCの精密なチェックおよび解析機能により、設計を製造工程に投入する前に潜在的な歩留り低下の原因を発見し、マスクの再設計にかかる手間とコストを削減できます。

Proteus LRCは、プロセス・ウィンドウ対応のエラー検出と量産向けのモデルにより信頼性の高い包括的なプロセス検証ソリューションを提供し、業界をリードする高精度を実現します。カスタマイズ性の高いインターフェイスは比類なき柔軟性を提供し、ユーザーはIPを変更せずに固有のアルゴリズムを採用できます。Proteusパイプライン・テクノロジに完全に統合されたアプリケーションは標準的なx86コア・プロセッサで動作し、総所有コストを最小化します。高度なエラー解析機能は、解析結果の確認と処理を効率的に行う優れたツールを提供します。

業界をリードする高精度

Proteus OPCで使用されている量産向けのモデルをProteus LRCでも使用できます。これらのモデルは、高精度で予測可能なモデル構築のために物理の第一原理に基づいています。これによりモデルの安定性が確保され、結果がモデル・キャリブレーション・データの範囲を超えた場合でも高精度を実現します。レジスト形状とトポグラフィの影響をさらに詳細に検討する必要がある場合は、組込み可能なSentaurus Lithographyテクノロジにより、設計の重要箇所において精密な第一原理モデルを利用できます。 

高い柔軟性を持ったプロセス・ウィンドウ対応のエラー検出機能

Proteus LRCは、高度のフィールドベースのモデルによるフルチップ・カバレッジを提供します。

  • すべての検査に最高性能のプロセス・ウィンドウ対応のアルゴリズムが採用されており、また設計の全箇所のプロセス・ウィンドウにおけるワーストエラーを検出することにより、統合的なデータ解析が実行されます。
  • DPT固有のチェックは、マルチマスク・リソグラフィ・プロセス特有のプロセス・エラー向けに最適化されており、ロバストなチェック、容易なインプリメンテーション、統合された結果表示機能を提供します。
  • 組込み可能なSentaurus Lithographyテクノロジにより、精密な第一原理モデルによるレジスト形状とトポグラフィの影響の解析が可能です。
  • OPCとProteus LRCは同一プラットフォームに統合されており、ツール間の互換性が保たれます。
  • プログラム性の高いインターフェイスが高度な柔軟性を提供し、エンドユーザーは独自のチェック機能とアルゴリズムを自由に組み込むことができるため、ユーザーの大切なIPを保護します。
  • 高性能のS-LithoとコンパクトなProGenレジスト3Dモデルによる高度のフルチップ3Dホットスポット検出
IC WorkBenchのProteusエラー解析モジュール(PEAM)

IC WorkBenchのProteusエラー解析モジュール(PEAM)