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什么是晶粒到晶粒接口?

索海尔·莫迪尔扎德

2021年6月4日 / 阅读时间:5分钟

定义

die-to-die 接口是一种功能模块,用于在同一封装内组装的两个硅芯片之间提供数据接口。Die-to-die 接口利用封装内部极短的通道连接两个芯片,从而实现更高的能效和极高的带宽效率,其性能远超传统芯片间接口。

die-to-die 接口通常由一个PHY和一个控制器模块组成,可在两个芯片的内部互连结构之间提供无缝连接。die-to-die PHY采用高速SerDes 架构或高密度并行架构实现,这些架构经过优化,可支持多种先进的2D、2.5D和3D封装技术。

die-to-die 接口是推动行业从单片SoC设计转向同一封装内多芯片SoC组装这一趋势的关键驱动力。这种方法缓解了人们对小工艺节点高成本、低良率日益增长的担忧,并为产品提供了更高的模块化和灵活性。

Die-to-Die 接口是如何工作的?

die-to-die 接口与其他任何芯片间接口一样,可在两个芯片之间建立可靠的数据链路。

该接口在逻辑上分为物理层、链路层和事务层。它在芯片运行期间建立并维持链路,同时向应用程序提供一个连接到内部互连架构的标准化并行接口。

通过添加前向纠错(FEC)和/或循环冗余校验(CRC)以及重试等错误检测和纠错机制,可确保链路可靠性。

物理层架构可以基于SerDes ,也可以基于并行架构。

  • 基于SerDes 的架构包括并行-串行(串行-并行)数据转换、阻抗匹配电路以及时钟数据恢复或时钟转发功能。它支持NRZ信号传输或PAM-4信号传输以实现更高的带宽,最高可达112 Gbps。SerDes 架构的主要作用是最大限度地减少在有机基板等简单二维封装中的I/O互连数量。
  • 并行架构包含许多并联的低速、简单收发器,每个收发器由一个驱动器和一个接收器组成,并采用时钟转发技术以进一步简化架构。该架构支持DDR 类信号传输。并行架构的主要作用是在高密度2.5D型封装(如硅中介层)中最大限度地降低功耗。

Die-to-Die 接口的优势

现代芯片的实现正趋向于基于在封装中集成多个芯片的解决方案,以提高模块化和灵活性。这种多芯片方案还能通过将功能拆分为多个芯片来提高良率,从而实现更具成本效益的解决方案——尤其是当(单片)芯片尺寸接近光刻掩模的完整尺寸时。

芯片之间的接口必须满足此类系统的一切关键要求:

  • 能效。multi-die 系统 的实现应与等效的单片实现具有同等能效。Die-to-die 链路采用短距离、低损耗且无显著不连续性的信道。PHY架构利用了良好的信道特性,从而降低了PHY的复杂度并节省了功耗。
  • 低延迟。将服务器或加速器 SoC 划分为多个芯片时,不应因访问不同芯片中延迟差异显著的内存而导致出现非统一内存架构。Die-to-die 接口采用简化的协议,并直接连接至芯片互连架构,以最大限度地降低延迟。
  • 高带宽效率。先进的服务器、加速器和网络交换机需要在芯片之间传输海量数据。die-to-die 接口必须能够在减少芯片边缘占用空间的同时,支持所有所需的带宽。 通常采用两种方案来实现这一目标:一是通过部署每通道数据速率极高的 PHY(高达 112 Gbps)来最小化所需通道数;二是通过在低数据速率通道(每通道最高 8 Gbps)上采用更精细的凸块 间距(微凸点),并将大量此类通道并行化以达到所需带宽,从而提高 PHY 的密度。
  • 稳健链路。 die-to-die 链路必须无错误。该接口必须实现低延迟的错误检测和纠错机制,且该机制必须足够稳健,能够检测所有错误并以低延迟进行纠错。这些机制通常包括前向纠错(FEC)和重试协议 。

Die-to-Die 界面用例

通过将多个芯片封装到一个封装中,微芯片(chiplets)不仅为延续摩尔定律提供了另一种途径,同时还能实现产品的模块化以及工艺节点 优化。微芯片被应用于计算密集型、工作负载繁重的应用中,例如高性能计算(HPC) 。

针对高性能计算(HPC)、网络、超大规模数据中心和人工智能(AI)等应用,die-to-die 接口主要有四种用例 :

可扩展SoC

其目标是通过虚拟(die-to-die )连接将芯片连接起来,从而提升计算能力,并为服务器和人工智能加速器创建多个SKU,实现跨芯片的紧密耦合性能。

Scale SoC |Die-to-Die 接口

分体式SoC

其目标是实现超大规模系统级芯片(SoC)。大型计算芯片和网络交换机芯片已接近光刻掩模的极限。将它们拆分为多个芯片不仅在技术上可行,还能提高良率、降低成本,并延长摩尔定律的有效期。

分立SoC |Die-to-Die 接口

聚合

其目标是将实现于不同芯片上的多个不同功能整合在一起,从而针对每项功能采用最优工艺节点 ,降低功耗,并改善在FPGA、汽车和5G基站等应用中的外形尺寸。

聚合  |Die-to-Die 接口

拆分

其目标是将中央芯片与I/O芯片分离,以便中央芯片能够轻松迁移到先进工艺,同时将I/O芯片保留在保守工艺节点上,从而降低产品演进的风险和成本,实现组件复用,并缩短服务器、 FPGA、网络交换机及其他应用领域中缩短产品上市时间。

Disaggregate |Die-to-Die 接口

Die-to-Die 接口和 新思科技

新思科技 整合了 die-to-die 的112G超短距离/超短程 和HBI PHY IP、控制器IP以及 中介层 的专业技术,提供全面的 die-to-die IP解决方案,以支持芯片分割、芯片解耦、计算扩展和功能聚合。基于SerDes 的112G超短距离/超短程 PHY以及基于并行架构的8G OpenHBI PHY均采用先进的FinFET 工艺制造。 该可配置控制器采用带重传和可选前向纠错(FEC)的纠错机制,以最大限度降低比特误码率,确保die-to-die 链路的可靠性。它支持用于相干和非相干数据通信的Arm®专用接口。

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