die-to-die 接口是一种功能模块,用于在同一封装内组装的两个硅芯片之间提供数据接口。Die-to-die 接口利用封装内部极短的通道连接两个芯片,从而实现更高的能效和极高的带宽效率,其性能远超传统芯片间接口。
die-to-die 接口通常由一个PHY和一个控制器模块组成,可在两个芯片的内部互连结构之间提供无缝连接。die-to-die PHY采用高速SerDes 架构或高密度并行架构实现,这些架构经过优化,可支持多种先进的2D、2.5D和3D封装技术。
die-to-die 接口是推动行业从单片SoC设计转向同一封装内多芯片SoC组装这一趋势的关键驱动力。这种方法缓解了人们对小工艺节点高成本、低良率日益增长的担忧,并为产品提供了更高的模块化和灵活性。
die-to-die 接口与其他任何芯片间接口一样,可在两个芯片之间建立可靠的数据链路。
该接口在逻辑上分为物理层、链路层和事务层。它在芯片运行期间建立并维持链路,同时向应用程序提供一个连接到内部互连架构的标准化并行接口。
通过添加前向纠错(FEC)和/或循环冗余校验(CRC)以及重试等错误检测和纠错机制,可确保链路可靠性。
物理层架构可以基于SerDes ,也可以基于并行架构。
现代芯片的实现正趋向于基于在封装中集成多个芯片的解决方案,以提高模块化和灵活性。这种多芯片方案还能通过将功能拆分为多个芯片来提高良率,从而实现更具成本效益的解决方案——尤其是当(单片)芯片尺寸接近光刻掩模的完整尺寸时。
芯片之间的接口必须满足此类系统的一切关键要求:
分体式SoC
其目标是实现超大规模系统级芯片(SoC)。大型计算芯片和网络交换机芯片已接近光刻掩模的极限。将它们拆分为多个芯片不仅在技术上可行,还能提高良率、降低成本,并延长摩尔定律的有效期。
聚合
其目标是将实现于不同芯片上的多个不同功能整合在一起,从而针对每项功能采用最优工艺节点 ,降低功耗,并改善在FPGA、汽车和5G基站等应用中的外形尺寸。
拆分
其目标是将中央芯片与I/O芯片分离,以便中央芯片能够轻松迁移到先进工艺,同时将I/O芯片保留在保守工艺节点上,从而降低产品演进的风险和成本,实现组件复用,并缩短服务器、 FPGA、网络交换机及其他应用领域中缩短产品上市时间。
新思科技 整合了 die-to-die 的112G超短距离/超短程 和HBI PHY IP、控制器IP以及 中介层 的专业技术,提供全面的 die-to-die IP解决方案,以支持芯片分割、芯片解耦、计算扩展和功能聚合。基于SerDes 的112G超短距离/超短程 PHY以及基于并行架构的8G OpenHBI PHY均采用先进的FinFET 工艺制造。 该可配置控制器采用带重传和可选前向纠错(FEC)的纠错机制,以最大限度降低比特误码率,确保die-to-die 链路的可靠性。它支持用于相干和非相干数据通信的Arm®专用接口。