ニュースリリース - 2013年6月4日

シノプシス、サムスン社の最先端14nm FinFETプロセス向けの包括的な設計ソリューションを提供

多年にわたる協業を通じて開発したシリコン実証済みソリューション

概要

• 3-D寄生情報抽出テクノロジとデバイス・シミュレーション・テクノロジで緊密に協業
• 14nmジオメトリでの短期間の設計収束を実現する業界最先端の配置配線ソリューション
• 14nmプロセスでのIP、メモリー、ライブラリ開発キットのためのゴールデン・リファレンス

2013年6月3日 カリフォルニア州マウンテンビュー発 - 半導体やエレクトロニクス・システムのイノベーションを加速させる開発用ソフトウェア、IP、技術サービスの世界的リーダーであるシノプシス（Synopsys, Inc.、Nasdaq上場コード:SNPS）は本日、サムスン社の14nm LPE FinFETプロセス向けデザインの包括的なインプリメンテーション・ソリューションを発表した。このソリューションは、寄生情報抽出のために3-D構造に起因する影響をモデル化する新しい高速フィールド・ソルバー、デバイス・シミュレーションのための高精度な高速モデル、フィジカル設計にあたっての新しいデザイン・ルールのサポートなどを提供する。両社の共同開発によるシリコン実証済みソリューションにより、サムスン社14nmプロセスの最新3-D FinFETの活用が加速する。

サムスン社　システムLSIインフラストラクチャ・デザインセンター上級副社長　Kyu-Myung Choi氏は次のように語っている。「当社は、14nm FinFETテクノロジの活用を実現するという固い決意の元にシノプシス社との緊密な協業を実行しました。今回シノプシス社と共同開発したシリコン実証済みの包括的なソリューションにより、お客様各社は、最先端14nm LPEプロセスが提供する高性能・低消費電力のメリットを活用して、全く新しい革新的な製品を開発できるようになります」

シノプシス インプリメンテーション・グループ ジェネラルマネージャー兼上級副社長 Antun Domicは次のように述べている。「サムスン社のFinFETプロセス向けの包括的なインプリメンテーション・ソリューションの提供は、最先端の半導体デザインをさらに進化させるという両社のコミットメントを象徴するものです。両社共通のお客様のFinFETニーズに対応するためには、非常に緊密なコラボレーションが欠かせません。我々は、3-D寄生情報抽出とデバイス・シミュレーション、FinFET対応のインプリメンテーションならびにインデザイン・ベリフィケーション・ツール群といった中核技術の開発に注力しました」