핀형 전계효과 트랜지스터( FinFET )는 완전히 평면형이 아닌, 얇은 수직 핀을 가진 전계효과 트랜지스터(FET)의 한 종류입니다. 게이트는 소스와 드레인 사이에 형성된 채널을 세 면에서 완전히 “감싸고” 있습니다. 게이트와 채널 사이에 형성된 더 넓은 표면적 덕분에 평면형 FET에 비해 전기적 상태를 더 잘 제어할 수 있으며 누설 전류를 줄일 수 있습니다. FinFET을 사용하면 채널에 대한 정전기적 제어력이 훨씬 향상되어 평면형 FET보다 더 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있습니다.
FinFET은 현대 나노전자 반도체 소자 제조의 기초가 됩니다. FinFET을 활용한 마이크로칩은 2010년대 전반에 상용화되었으며, 14nm, 10nm, 7nm 공정 노드에서 주류 게이트 설계로 자리 잡았습니다. 일반적으로 단일 수직 게이트 트랜지스터( FinFET )에는 여러 개의 핀이 나란히 배열되어 있으며, 이 핀들은 모두 동일한 게이트로 덮여 있어 전기적으로 하나의 단위로 작동함으로써 구동 강도와 성능을 높입니다.
그림 1: 평면형 FET
그림 2: FinFET
FinFET 와 같은 고급 기하학적 노드는 일부 구현 도구에 영향을 미치는 상당한 설계 및 제조상의 과제를 야기합니다. 특히, 복잡한 다중 패터닝 리소그래피 요구사항에는 다음이 포함됩니다:
고급 기하학 노드를 통해 설계가 멀티-GHz 이상의 동작 주파수에서 실행될 수 있게 될 것입니다. 이를 달성하기 위해서는 설계 흐름 전반에 걸쳐 높은 수준의 예측 가능성을 갖춘 도구를 통해 개선된 모델링, 가이드, 분석이 이루어져야 합니다. 차세대 설계에 필요한 크기 및 성능 요구 사항을 충족하려면 더 높은 수준의 처리 용량, 더 빠른 실행 시간을 위한 향상된 멀티코어 처리 능력, 그리고 설계 생산성을 극대화할 수 있는 통합 설계 환경이 필요합니다. Synopsys’의 포괄적이고 파운드리 인증을 받은 첨단 지오메트리 솔루션은 설계가 시장에 더 빨리 출시될 수 있도록 돕는 다음과 같은 기능을 제공합니다:
FinFET의 전기적 특성을 활용하려면 복잡하고 다중 패터닝이 필요한 리소그래피 의 과제를 해결해야 합니다. 이를 지원하기 위해, Synopsys 는 공정 개발, SPICE 설계 구현 및 IP에 이르기까지 업계에서 가장 광범위하고 실리콘 검증된FinFET 지원 EDA 솔루션을 제공합니다. 이 솔루션을 활용할 때 얻을 수 있는 다른 이점으로는 Synopsys FinFET 설계를 위해 당사와 협력할 때 얻을 수 있는 다른 이점은 다음과 같습니다:
Synopsys 가장 첨단 공정 노드를 대상으로 하는 선도적인 솔루션을 제공해 온 입증된 실적을 보유하고 있습니다. IDM, 파운드리 및 학계와의 협력을 통해, Synopsys 업계에서 가장 포괄적이고 효과적인FinFET 솔루션을 제공합니다. 전 세계FinFET 소자의 대부분은Synopsys의 TCAD 툴을 사용하여 설계되며; Synopsys FinFET 를 위한실리콘 검증 IP포트폴리오를 가장 폭넓게 보유하고 있으며, 주요 양산용 SoC의 90% 이상이Synopsys Design Family를 사용하여 설계되었습니다.
Synopsys’ Custom Compiler ‘visually-assisted’ 맞춤형 레이아웃 솔루션은 신속한 구현에 최적화되어 있어,FinFET 의 맞춤형 디자인 작업을 완료하는 데 소요되는 시간을 며칠에서 몇 시간으로 단축합니다.