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FinFET存储器的设计、测试和修复方法

同任何IP模块一样,存储器必须接受测试。但与很多别的IP模块不同,存储器测试不是简单的通过/失败检测。存储器通常都设计了能够用来应对制程缺陷的冗余行列,从而使片上系统(SoC)良率提高到90%或更高。相应地,由于知道缺陷是可以修复的,冗余性允许存储器设计者将制程节点推向极限。测试过程已经成为设计-制造过程越来越重要的补充。存储器测试始终要面临一系列特有的问题。现在,随着FinFET存储器的出现,需要克服更多的挑战。这份白皮书涵:

1) FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战
2) 怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷
3) 如何通过内建自测试(BIST)基础架构与高效测试和维修能力的结合来帮助保证FinFET存储器的高良率

虽然这份白皮书以FinFET工艺(制程)为重点,但其中很多挑战并非针对特定制程。这里呈现的存储器测试的新问题跟所有存储器都有关,无论是Synopsys还是第三方IP供应商提供的或是内部设计的。 请填写以下表格,然后点击“提交”即可完成下载。

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