CustomSim 电路检查

CustomSim 电路检查 (CCK) 可在仿真运行前,自动查找设计和性能问题,报告电路中的潜在问题,从而帮助用户避免冗余的仿真时间。电路检查可提升验证的覆盖范围,并发现仿真遗漏的潜在问题点。

参数检查

电路检查能够扫描网表中的常见几何和电子参数错误:

  • MOSFET W, L, 源/漏区域, 周长, tox
  • 可针对各个器件模型设置用户限制
  • 电容值
  • 仿真温度
参数检查

设计和电气规则检查

CCK 可在仿真前找出电路和偏压错误:

  • 浮动 MOSFET 栅极
  • 正偏二极管,体节点
  • Vdd 或 GND 断路
  • 缩短的节点:PMOS 至 GND,NMOS 至 Vdd

在仿真过程中,CCK 可监控:

  • 节点间的最小/最大电压
  • 超额的元件电流
  • 正偏状况
设计和电气规则检查

数字逻辑/存储器诊断

CCK 可预防耗时的调试问题:

  • 在瞬态仿真前,确定未初始化的门闩线路
  • 查找故障节点
  • 报告 NMOS、PMOS 器件的过度层叠

CCK 可跟踪逻辑路径:

  • 交互调试模式
  • 查找状态变化源
数字逻辑/存储器诊断

时序检查

CCK 可执行静态的晶体管时序分析:

  • 计算 Elmore 延迟
  • 测量至 Vdd 的上升沿和至 GND 的下降沿

动态时序分析:

  • CCK 可跟踪源节点和目标节点之间的所有路径延迟
时序检查

信号完整性

CCK 静态串扰分析:

  • 计算连接浮动寄生电容的延迟路径
  • 计算潜在杂音毛刺
  • 确定快速下降沿和慢速上升沿
信号完整性

低功耗设计和漏电检测

查找 DC 漏电:

  • 静态检查可报告电压源之间漏电的任何路径

在仿真过程中监控待机电流:

  • 检测多个供电域中的潜在漏电路径
  • 确定高阻节点,测试 GND/Vdd 漏电
低功耗设计和漏电检测