5 纳米宏大的愿景

成就微小技术

实现超越 7 纳米

Synopsys 作为 FinFET 流片的推动者,保持了长期领先的业绩记录(持续超越90%以上的竞争者),其建立的基础包括了整个 Synopsys 设计平台的优质工具,在整个设计生态系统的深厚经验、突出表现和业务关系,以及持续的对理论创新的关注。随着市场持续加速节点进程,Synopsys 的根基和领导地位保证了我们在突破硅的物理极限时,积极地确保交付新节点。

5 纳米、3 纳米和 2 纳米节点已经推出在望。 通过运用我们在设备支持方面的经验,并促进综合、执行和签核的技术收敛,我们确信,无论我们的客户现在面临何种挑战,我们都准备就绪使他们能成功地将高度差异化的产品推向市场。

5 纳米及更高级节点的晶体管架构

攻克 5 纳米及更高级节点的挑战

业内领先的 IC 设计和签核技术

包括 5 纳米和 3 纳米在内的新技术工艺节点已成功开发并做好部署准备。快速跟上支持当今生产流程的工具的最新发展动态。如需了解 Synopsys 合成、实现和签核技术的更多信息,请点击以下链接查看各类产品的解决方案页面。