Ко-оптимизация Технологии Проектирования

Сократить время разработки и стоимость процесса

Ко-оптимизация технологии проектирования (DTCO) - это методология, которая помогает полупроводниковым фабрикам снизить стоимость и время выхода на рынок при усовершенствованной разработке процессов. Решение Synopsys DTCO позволяет эффективно оценивать и отбирать новые транзисторные архитектуры, материалы и другие параметры процесса, используя метрики расчета мощности, производительности и площади (PPA).

Применяя DTCO, команды разработчиков технологий разрабатывают новые методы формирования шаблонов с помощью Proteus Mask Synthesis и Sentaurus Lithography, моделируют новые материалы с помощью QuantumATK, оценивают и оптимизируют новые архитектуры транзисторов с помощью Sentaurus TCAD и Process Explorer и извлекают компактные модели с помощью Mystic. Правила проектирования, полученные с учетом этих параметров процесса, затем используются для проектирования и характеризации стандартной библиотеки ячеек с помощью SiliconSmart и HSPICE, а также для проведения оценок PPA на уровне блоков с использованием маршрута физического проектирования Synopsys Fusion Technology, основанного на IC Compiler II, StarRC, PrimeTime и IC Validator.

Synopsys DTCO Flow

Преимущества решения Synopsys DTCO

  • Проверенные в отрасли инструменты Synopsys TCAD и Mask Synthesis обеспечивают точное моделирование материалов, параметров литографии и транзисторных процессов до появления пластин.
  • Использование стандартной библиотеки ячеек для проектирование на уровне блоков с помощью технологии Fusion оценивает параметры процесса в реалистичных контекстах проектирования и обеспечивает обратную связь для групп разработчиков процессов.
  • Модели с учетом вариаций для моделирования HSPICE, экстракция паразитных параметров StarRC и статический анализа временных задержек PrimeTime (STA) точно моделируют влияние вариаций на синхронизацию и мощность для обеспечения максимальной надежности при проектировании с наименьшими превышениями расчетного времени выполнения проектирования.