パラメトリック・チェック
Circuit Checkでは、ネットリストをスキャンして次のような一般的なジオメトリおよび電気パラメータのエラーを検出します。
- MOSFET W、L、ドレイン/ソース領域、周囲長、tox
- 各デバイス・モデルにユーザー制限を設定可能
- キャパシタの値
- シミュレーション温度
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CustomSim Circuit Check
CustomSim Circuit Check（CCK）は、シミュレーションを実行する前にデザインや性能の問題を自動検出し、回路の潜在的な問題をレポートすることによってシミュレーション時間の無駄を省きます。検証範囲を拡大し、シミュレーションで見落とされる潜在的な問題箇所を発見します。
デザインおよび電気的ルール・チェック
CCKはシミュレーションに先行して次の接続およびバイアス・エラーを検出します。
- フローティングMOSFETゲート
- 順方向バイアス・ダイオード、バルク・ノード
- VddまたはGNDへのパスが無い
- 短絡ノード: PMOSからGND、NMOSからVdd
CCKはシミュレーション時に次の事項をモニタします。
- ノード間の最小/最大電圧
- 素子過電流
- 順方向バイアス状態
デジタル論理/メモリー診断
CCKは時間のかかるデバッグ作業の問題をなくします。
- 過渡シミュレーションの前に未初期化のラッチを特定
- スタック・ノードの検出
- NMOS、PMOSデバイスの過剰直列接続をレポート
CCKは論理パスをトレースします。
- インタラクティブ・デバッグ・モード
- 状態変更の原因を検出
タイミング・チェック
CCKはトランジスタレベルのスタティック・タイミング解析を行います。
- エルモア遅延の計算
- Vddへの上昇パス、GNDへの下降パス
ダイナミック・タイミング解析:
- CCKがソース・ノードとターゲット・ノード間のすべてのパス遅延をトレース
シグナル・インテグリティ
CCKのスタティック・クロストーク解析には次の機能があります。
- 浮遊寄生容量に接続している遅延パスの測定
- 潜在的なノイズ・グリッチの計算
- 急速な下降と低速な上昇の特定
低消費電力設計手法とリーク検出
DCリークの検出:
- スタティック・チェックにより電圧源間で電流リークが生じているパスをレポート
シミュレーション時にスタンバイ電流をモニタして次の問題を突き止めます。
- 複数の電源ドメインから潜在的なリーク・パスを検出
- High-Zノードを特定し、GND/Vddのリークをテスト
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