Sentaurus Topography 

用于准确模拟器件结构形貌的工艺步骤  

概览
Sentaurus Topography 是一款高级仿真器,基于物理模型仿真淀积、蚀刻、旋涂式薄膜、回流和化学机械抛光等结构生成的工艺步骤。 它凭借高级物理模型和数字算法,支持具备不同材质属性的复杂的多层工艺结构。 此外,Sentaurus Topography 可通过仿真构建互联层的复杂步骤,也非常适合预测后端工艺中的结构形貌。

工艺开发工程师可利用 Sentaurus Topography 来优化现有工艺和开发新的工艺流程。 在制造业,Sentaurus Topography 是一款重要的工具,可用于研究工艺偏差和波动的影响,以改善工艺能力和良率。

此外,Sentaurus Topography 与 Sentaurus Process 之间的接口能将前端工艺热过程与结构形貌仿真综合到同一个环境中。 Sentaurus Topography 已完全整合到顶尖 TCAD 框架和虚拟工具——Sentaurus Workbench 中。

优势
  • 仿真淀积和蚀刻工艺中的形貌演变,包括 APCVD、LPCVD、PECVD、HDP CVD、湿法刻蚀、反应离子刻蚀 (RIE)、离子研磨和溅射刻蚀
  • 对回流、旋涂式薄膜和化学机械抛光进行模拟仿真
  • 仿真不同反应器工艺条件下导致侧壁弯曲、回刻平坦化和 RIE 滞后效应的蚀刻特性
  • 调查侧壁腐蚀倾角和淀积条件对沟槽或接触孔填充及空洞形成的影响
  • 对等离子体放电和鞘层运输机制进行特性表征,包括晶圆层面的等离子(带电离子和中性离子)角度和能量分布等