Sentaurus Device 

先进的多维(1D、2D 和 3D)器件仿真器 

概览
Sentaurus Device 是一种先进的多维器件仿真器,可仿真硅半导体器件及化合物半导体器件的电学、热学和光学特性。 Sentaurus Device 是新一代器件仿真器,可用于设计和优化当前及未来的半导体器件。

功能
Sentaurus Device 是一种通用型器件仿真工具,拥有在以下几大广泛领域的仿真功能:

传统和深亚微米 CMOS 技术: Sentaurus Device 可仿真所有的硅及应变硅技术,包括硅锗 (SiGe) pockets 或其他外部应力源。 先进的数字功能可获取先进应用程序的热载流子效应、非局部和量子效应。 Sentaurus Device 的 3D 仿真功能可仿真深亚微米器件中的窄宽度效应、浅沟槽隔离中的寄生沟道效应和 SOI 结构中的浮体效应。

化合物半导体技术: Sentaurus Device 可仿真先进的量子化模型,包括严密的薛定谔方程和复杂的隧穿机制,用于模拟在高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和异质结双极晶体管 (HBT) 等异质结构器件中的载流子传输。这些器件由以下(但不限于)这些材料制造而成:砷化镓 (GaA)、磷化铟 (InP)、氮化镓 (GaN)、硅锗 (SiGe)、碳化硅 (SiC)、铝砷化镓 (AlGaAs)、铟镓砷 (InGaAs)、氮化铝镓 (AlGaN) 和氮化铟镓 (InGaN)。

光电子器件: Sentaurus Device 可仿真如 CMOS 图像传感器和太阳能电池。 Sentaurus Device 中的功能选项还可使用 FDTD 方法,实现麦克斯韦波动方程的严密求解。

功率器件: Sentaurus Device 是仿真电效应和热效应的最灵活、最先进的平台,可仿真多种功率器件(比如 IGBT、电力 MOS、LDMOS、晶闸管)和由氮化镓 (GaN) 与碳化硅 (SiC) 等宽带隙材料制成的高频大功率器件。

Monte Carlo 器件仿真: Sentaurus Device 利用计算效率极高的稳健的全带组合蒙特卡洛 (Monte Carlo) 方法,提供玻尔兹曼方程的严密求解,适用于极小型的栅长器件。

存储器器件: Sentaurus Device 凭借先进的栅漏载流子隧道模型和俘获与释放模型,可仿真任何浮栅器件(比如 SONOS)和闪存存储器(包括使用高介电系数介电材料的器件)。

辐射效应: Sentaurus Device 可用来研究辐射对半导体器件操作造成的影响。 不仅可仿真单粒子效应,包括单粒子翻转 (SEU) 和单粒子瞬态效应 (SET),还可仿真电离总剂量 (TID) 效应。

新式半导体技术: Sentaurus Device 拥有先进的物理模型,能将用户自定义的模型添加到 Sentaurus Device 中,探索由新型材料制成的新式结构。

优势
  • 探索制造工艺尚未明确的新式器件特性
  • 对半导体器件的电学、热学和光学行为进行特性表征,以便快速实现原型验证、研发和性能优化
  • 通过补充利用仿真获得的具有深刻物理意义的实验数据,缩短研发时间
  • 研究器件特性相对于工艺变量的敏感度,以优化产品的成品率